Stickstoff-Schutzgas-Durchlauf-Lötofen Wärmebehandlung 64kW

Das grundlegende Werkzeug für Hermetizität, Wärmeleistung und Schaltungsintegrität

In der Welt der hochzuverlässigen Elektronik für Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und medizinische Anwendungen ist das Keramikgehäuse die erste Verteidigungslinie. Die Stickstoff-Wasserstoff-Atmosphäre-Gitterbandöfen von Tailord sind präzisionsgefertigt, um die kritischen thermischen Prozesse auszuführen – vom Metallisierungssintern und Deckeldichten bis zum Löten –, die einzelne Keramik- und Metallkomponenten in ein robustes, hermetisches und hochleistungsfähiges monolithisches Gehäuse verwandeln. Unsere Öfen bieten die makellose, reduzierende Umgebung und die unübertroffene thermische Gleichmäßigkeit, die für die Herstellung von Gehäusen unerlässlich sind, die die langfristige Funktionalität der empfindlichen Halbleiterchips im Inneren gewährleisten.

Hauptanwendungen und Prozessvorteile für die Herstellung von Keramikgehäusen:

1. HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic) Metallisierungssintern: Für HTCC-Gehäuse auf Basis von Aluminiumoxid bieten unsere Öfen die Hochtemperaturumgebung (>1600 °C) und die reduzierende Atmosphäre, die erforderlich sind, um den Keramikkörper und die Wolfram- oder Molybdän-Metallisierungsschaltungen gleichzeitig zu sintern und so eine dichte, monolithische Struktur mit eingebetteten, leitfähigen Pfaden zu bilden.

2. Aktivmetall-Hartlöten (AMB) von Deckeln/Rahmen: Hervorragend geeignet zum Hartlöten von Kovar- oder Legierungsdeckeln und -rahmen auf Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitrid-Substraten (AlN) unter Verwendung von Aktivmetall-Lötlegierungen (z. B. mit Ti). Die Stickstoff-Wasserstoff-Atmosphäre sorgt für eine saubere, oxidfreie Oberfläche, damit der Lotfüller perfekt benetzt und eine starke, hermetische Abdichtung erzeugt wird.

3. Sintern von Dickschichtmetallisierung auf AlN: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumnitrid ist der Schlüssel für Leistungsbauelemente. Unsere Öfen bieten das präzise Atmosphären- und Temperaturprofil, um silberbasierte Dickschichtpasten auf AlN zu sintern und zuverlässige Bondpads und Leiterbahnen zu bilden, ohne das Substrat oder den Leiter zu oxidieren.

4. Hermetisches Deckeldichten mit Au-Sn-Lot: Perfekt für den kritischen letzten Schritt des Abdichtens des Gehäusedeckels mit eutektischem Au80Sn20-Lot. Das gleichmäßige Temperaturprofil stellt sicher, dass das Lot gleichmäßig um den gesamten Dichtungsring schmilzt und fließt, wodurch eine blasenfreie, robuste und wirklich hermetische Abdichtung entsteht, die die Anforderungen von MIL-STD-883 erfüllt.

5. Leistungsstarke Oxidreduktion für überlegene Benetzung: Die Wasserstoffkomponente ist entscheidend für die Reduzierung von Oberflächenoxiden auf Metallteilen (Kovar-Deckel, Mo/Mn-Metallisierung) und Lötvorformen. Dies ist die unabdingbare Voraussetzung für das Erreichen perfekter Benetzung, starker Haftung und einer hermetischen Abdichtung bei allen Löt- und Sinterprozessen.

6. Hochvolumenproduktion für Standardgehäuse: Das kontinuierliche Gitterbanddesign ermöglicht die Massenproduktion von Standardgehäusekonturen (z. B. DIP, PGA, QFP) mit hohem Durchsatz und außergewöhnlicher Konsistenz, was für eine kostengünstige Fertigung in der Luft- und Raumfahrt- und Automobilindustrie von entscheidender Bedeutung ist.

7. Außergewöhnliche Temperaturgleichmäßigkeit für Ausbeute: Mit einer garantierten Temperaturgleichmäßigkeit von ±3 °C oder besser stellen wir sicher, dass alle Gehäuse auf dem Band und alle Bereiche innerhalb eines großen Gehäuses identische thermische Bedingungen erfahren. Dies verhindert Verzug, gewährleistet einen gleichmäßigen Lotfluss und ist grundlegend für das Erreichen ultrahoher Produktionsausbeuten.

8. Flussmittelfreies Löten für höchste Sauberkeit: Die aktive Wasserstoffatmosphäre macht den Einsatz von chemischen Flussmitteln bei allen Löt- und Dichtungsoperationen überflüssig. Dies verhindert ionische Kontamination, virtuelle Lecks und Korrosion, was für die langfristige Zuverlässigkeit und elektrische Leistung des verkapselten Mikroschaltkreises absolut entscheidend ist.

9. Wärmespannungsmanagement für komplexe Baugruppen: Die kontrollierten Aufheiz- und Abkühlraten sind sorgfältig konstruiert, um die thermische Belastung zwischen unterschiedlichen Materialien (z. B. Keramik und Metall) zu minimieren. Dies verhindert Risse in der Keramik und Delamination an den Grenzflächen und erhält die strukturelle Integrität des Gehäuses.

10. Ermöglichen von Leistungs- und HF-Modulen der nächsten Generation: Durch die Bereitstellung einer zuverlässigen Plattform für die Verarbeitung fortschrittlicher Materialien wie AlN und Si₃N₄ und für die Herstellung robuster Dichtungen ermöglicht unsere Technologie die Entwicklung von Modulen mit höherer Leistung und höherer Frequenz für 5G-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge und Radarsysteme.

Arbeiten Sie mit Tailord zusammen, um den ultimativen Schutzschild für Ihre wertvollsten Chips zu bauen. Unsere thermischen Verarbeitungslösungen bieten die Hermetizität, das Wärmemanagement und die Zuverlässigkeit der Verbindungen, die den Goldstandard in der Keramikverpackung definieren.

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