ハイブリッド集積回路HIC用300mm連続ベルト金属焼結炉 42kW

高度なエレクトロニクスの信頼性と性能の要

厚膜ハイブリッド集積回路は、自動車制御モジュールから航空宇宙計器まで、無数の重要なシステムの基盤を形成しています。その製造の中心には、印刷されたペーストを堅牢で機能的な層に変える焼成プロセスがあります。Tailordのメッシュベルト焼結炉は、HICの生産の要となるように精密に設計されており、抵抗器、導体、誘電体をセラミック基板上にモノリシックで高信頼性の回路に同時焼成するために必要な、比類のない制御、一貫性、およびスループットを提供します。

厚膜HIC焼成の主な用途とプロセスの利点:

1. 多層およびクロスオーバー構造の焼成: 複雑な多層構造を順次焼成するのに最適です。当社の炉は、下部導体、その上の誘電体絶縁層、および上部導体を正確に焼成して、最小限の層間拡散と完全なレジストレーションで信頼性の高いクロスオーバーを形成することを可能にします。

2. 厳密なTCR制御による精密抵抗器焼成: ルテニウム酸化物ベースの抵抗器ペーストについて、正確なシート抵抗率と非常に低い温度抵抗係数（TCR）を実現します。当社のマルチゾーン制御により、ガラスセラミックマトリックスを微調整することができ、これは安定した±25ppm/℃以上の性能を達成するために不可欠です。

3. 高スループット導体形成（Au、Ag、Ag-Pd、Cu）: 一般的な相互接続用の高導電性銀から、ワイヤーボンディング用の堅牢な金、および高出力アプリケーション用の耐酸化性銅まで、当社の炉は、高密度、低抵抗、および良好な密着性の導体ラインに必要な特定の雰囲気（Agの場合は空気、Cuの場合は窒素）と熱プロファイルを提供します。

4. シーリングガラスと誘電体層の焼成: 絶縁または封止用の誘電体層、およびキャビティパッケージ用のシーリングガラスの焼成に最適です。制御されたプロファイルは、気泡の発生を防ぎ、完全な緻密化を保証し、必要な熱的および電気的絶縁特性を実現します。

5. アルミナおよびAlNの優れた基板処理: スムーズで連続的なベルト搬送により、アルミナ（Al₂O₃）および高熱伝導率窒化アルミニウム（AlN）基板の平坦で反りのない焼成が保証されます。これは、回路の完全性を維持し、その後の微細ピッチアセンブリプロセスを可能にするために不可欠です。

6. 高い歩留まりのための卓越したプロセスの再現性: 当社の炉の比類のない熱均一性（±3℃）とプロファイル再現性により、生産開始から終了まで、すべての回路基板が同一に焼成されます。これは、高い機能歩留まりを達成し、厳格な自動車（AEC-Q200）および軍事規格を満たすための基盤です。

7. 高度な材料のための雰囲気の多様性: 当社の炉は、Ag/Pdペースト用の標準的な清浄空気から、銅導体焼成用の純粋な窒素まで、さまざまな雰囲気に構成可能であり、あらゆる厚膜材料システムに適応する柔軟性を提供します。

8. 微細線解像度の維持: 安定した熱環境と振動のない搬送により、印刷された微細線導体と抵抗器のシャープなエッジ定義が維持されます。これは、高密度相互接続にとって不可欠であり、設計された抵抗器の形状を維持して、レーザートリム後の正確な値を実現します。

9. 最適化されたレーザートリム安定性: 一貫して完全に焼成された抵抗膜は、レーザートリミングに対して安定した予測可能な応答を提供します。当社のプロセスは、トリム後のドリフト（ΔR/R）を最小限に抑え、これは0.1％以上の精度で最終的な抵抗値を達成するために不可欠です。

10. 自動化ラインへのシームレスな統合: 24時間365日の連続運転用に設計された当社のメッシュベルト炉は、自動スクリーン印刷機、検査システム、およびレーザートリマーとシームレスに統合され、大量のHIC製造のための非常に効率的でスケーラブルな生産セルを構築します。

Tailordと提携して、自信を持って電子基盤を構築してください。当社の焼結技術は、お客様の厚膜HICが、現代のシステムが要求する性能、密度、および信頼性を提供することを保証します。

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